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本发明公开了二极管领域内的一种基于NP沟道互补耗尽型MOSFET整流二极管，包括耗尽型NMOS管M1、耗尽型PMOS管M2以及低开启电压的肖特基二极管D1，耗尽型NMOS管M1的漏极接二极管D1的负极侧，耗尽型PMOS管M2的漏极接二极管D...
该专利属于扬州芯智瑞电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过扬州芯智瑞电子科技有限公司授权不得商用。

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