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用于检测和改善静态随机存取存储器SRAM单元的可写性的系统和方法。产生(110)对应于操作条件的偏置电压值(114)，所述操作条件例如为指示包括所述SRAM单元的外部SRAM阵列的单元写入失败条件的工艺、电压或温度操作条件。将此偏置电压值施...
该专利属于高通股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过高通股份有限公司授权不得商用。

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