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本发明公开了一种氮化镓基发光二极管外延片及其生长方法，属于发光二极管领域。所述发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的低温缓冲层、高温缓冲层、无掺杂GaN层、N型层、发光层MQW和P型层，其特征在于，所述高温缓冲层为未掺杂的In...
该专利属于华灿光电（浙江）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华灿光电（浙江）有限公司授权不得商用。

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