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本发明公开了一种超级结器件的制造方法，包括如下步骤：步骤一、提供一N型半导体外延层并形成多个周期排列的超级结沟槽；步骤二、对超级结沟槽进行填充形成P型柱，填充采用多次多晶硅淀积、淀积后刻蚀去除侧面多晶硅以及多次注入实现，且从下到上注入剂量逐...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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