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本发明涉及一种扩散阻挡层制备方法及铜互连结构，所述制备方法包括以下步骤：在低k电介质层上沉积钼金属层，其中所述低k电介质层形成在硅片上，所述钼金属层的厚度为3‑5nm；对沉积的钼金属层进行退火处理，形成扩散阻挡层。本发明通过沉积钼金属层并进...
该专利属于北方工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过北方工业大学授权不得商用。

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