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本发明提供一种半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法，所述半导体结构的制备方法包括如下步骤：1）提供衬底；2）于所述衬底的上表面形成含镓分解层及分解阻挡层；3）于步骤2）得到的结构的上表面形成图形化掩膜层；4）将步骤3）得到的结构进行处理，...
该专利属于镓特半导体科技（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过镓特半导体科技（上海）有限公司授权不得商用。

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