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本发明公开了一种基于GaN水平纳米线交叉结的多端电子器件制备方法，将衬底清洗、蒸镀金属薄膜后；在HVPE设备中翻转衬底，使衬底上蒸镀有金属薄膜的一面向下并且与下方石墨盘之间设置有一定间隙，通过VLS方法在衬底上生长纳米线交叉结；然后经过王水...
该专利属于华南师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过华南师范大学授权不得商用。

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