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本发明提供了一种团簇离子注入的系统、大原子基团形成方法和超浅结制备方法，大原子基团的形成包括离子源发生腔中生成离子源；从离子源发生腔出来的部分离子源进入靶材腔，轰击靶材，从靶材中轰击出的离子、原子、分子、原子团相互碰撞，生成原子团；从靶材腔...
该专利属于上海集成电路研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路研发中心有限公司授权不得商用。

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