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本发明公开了一种交叉开关结构阻变式存储器性能优化方法，属于计算机存储器技术领域。本发明方法针对交叉开关结构的阻变式存储器，在存储体内部的每个阵列的位线两端都设计写驱动，上端的写驱动使能阵列上半部分的ReRAM单元，而下端的写驱动使能阵列下半...
该专利属于华中科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过华中科技大学授权不得商用。

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