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本发明提供一种晶体管及其制作方法，所述方法包括以下步骤：提供半导体衬底；在半导体衬底上依次沉积高K栅介质层、金属材料层、牺牲材料层；去除部分牺牲材料层及其正下方的金属材料层，在半导体衬底上形成包括牺牲材料层与金属材料层的堆叠结构，堆叠结构用...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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