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本发明公开了一种基于单模‑多模‑无芯光纤结构的磁场强度检测传感器，包括：单模光纤；多模光纤，其输入端与单模光纤的输出端熔接；无芯光纤，其一端与多模光纤的输出端偏心熔接；无芯光纤与多模光纤偏心熔接后的不重叠位置处包覆第一金属膜层；无芯光纤的另...
该专利属于中国工程物理研究院激光聚变研究中心所有，仅供学习研究参考，未经过中国工程物理研究院激光聚变研究中心授权不得商用。

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