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本发明公开了一种基于电容结构的氟注入工艺稳定性测试方法，主要解决目前监测氟注入工艺稳定性的问题。其实现方案为：首先制备氟注入电容，并测量电容的平带电压Vfb(t0)；然后对电容施加时长为tk反向应力，监测并统计应力过程中该电容的欧姆电极I1...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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