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一种具有高机电耦合系数和高中心频率的声表面波(SAW)器件，该SAW器件采用金刚石膜为基底，采用AlN和ZnO薄膜周期性层叠结构(AlN/ZnO)N作为压电层，层叠结构的周期N为2～5，AlN和ZnO薄膜的厚度比Rh为0.2～5。本发明考虑...
该专利属于天津理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过天津理工大学授权不得商用。

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