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本发明公开了一种LED氮化镓衬底及其制备方法，包括LED氮化镓衬底，所述LED氮化镓衬底由下至上包括下碳化硅层、金属层、上碳化硅层和氮化镓层。所述氮化镓层的厚度为金属层的8‑12倍。所述金属层为A1、Cu、In、Sn或Au层。LED氮化镓衬...
该专利属于王荣华所有，仅供学习研究参考，未经过王荣华授权不得商用。

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