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本发明涉及一种横向结构LED及其制备方法，所述制备方法包括：选取SOI衬底；在所述SOI衬底上生长外延层；制作晶化Ge层；在所述晶化Ge层上生长制作脊状Ge‑Sn合金层；在所述脊状Ge‑Sn合金层中制作N型Ge‑Sn合金层及P型Ge‑Sn合...
该专利属于厦门科锐捷半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门科锐捷半导体科技有限公司授权不得商用。

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