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一种光电探测结构及其制作方法、光电探测器。该光电探测结构包括:衬底基板;电极条,设置在衬底基板上;半导体层,设置在衬底基板面向电极条的一侧;绝缘层,设置在电极条与半导体层之间,其中,绝缘层包括厚度增加部,厚度增加部位于电极条的至少一个边缘处...该专利属于京东方科技集团股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过京东方科技集团股份有限公司授权不得商用。
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一种光电探测结构及其制作方法、光电探测器。该光电探测结构包括:衬底基板;电极条,设置在衬底基板上;半导体层,设置在衬底基板面向电极条的一侧;绝缘层,设置在电极条与半导体层之间,其中,绝缘层包括厚度增加部,厚度增加部位于电极条的至少一个边缘处...