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本发明公开了一种基于负电容介质的GaN基凹槽绝缘栅增强型高电子迁移率晶体管的制作方法，主要解决现有同类器件可靠性差的问题。其自下而上包括衬底、AlN成核层、GaN缓冲层、AlN插入层、AlGaN势垒层、GaN帽层和SiN钝化层，GaN缓冲层...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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