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基于浮空源场板和浮空漏场板的垂直型异质结场效应器件制造技术
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下载基于浮空源场板和浮空漏场板的垂直型异质结场效应器件的技术资料
文档序号:16218283
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本发明公开了一种基于浮空源场板和浮空漏场板的垂直型异质结场效应器件,其自下而上包括:肖特基漏极(11)、衬底(1)、漂移层(2)、孔径层(3)、两个对称的电流阻挡层(4)、沟道层(6)、势垒层(7)和栅极(10);两个电流阻挡层(4)之间形...
该专利属于西安电子科技大学所有,仅供学习研究参考,未经过西安电子科技大学授权不得商用。
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