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本发明属于半导体功率器件技术领域，具体的说是涉及一种横向绝缘栅双极型晶体管。本发明在传统阳极短路LIGBT结构的基础上，在器件漂移区内集电极一端形成隔离介质槽，在隔离介质槽另一端形成集成PMOS结构，并使集成PMOS结构与阳极短路N+区串联...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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