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本发明公开了一种复合源场板电流孔径异质结场效应晶体管，其自下而上包括：漏极(13)、GaN衬底(1)、GaN漂移层(2)、孔径层(3)、两个对称的二级阶梯形的电流阻挡层(4)、沟道层(6)、势垒层(7)、帽层(8)和栅极(12)，沟道层和势...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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