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本发明公开了一种探测基板,其形成有TFT器件和PIN器件,探测基板包括:基板;源漏极金属层,其形成在基板上方,源漏极金属层包括TFT电极区和PIN电极区,TFT电极区用作TFT器件的源漏电极,PIN电极区用作PIN器件的下部电极,其中,TF...该专利属于京东方科技集团股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过京东方科技集团股份有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种探测基板,其形成有TFT器件和PIN器件,探测基板包括:基板;源漏极金属层,其形成在基板上方,源漏极金属层包括TFT电极区和PIN电极区,TFT电极区用作TFT器件的源漏电极,PIN电极区用作PIN器件的下部电极,其中,TF...