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本发明公开了一种低电容单向TVS器件，包括反向并联的两个低电容二极管，其中一个低电容二极管与TVS二极管串联；本发明还提供一种低电容单向TVS器件制造方法，所述方法包括以下步骤：衬底材料准备、氧化、P+型埋层区光刻、硼离子注入及推结、外延生...
该专利属于安徽富芯微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽富芯微电子有限公司授权不得商用。

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