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本发明提供一种自支撑氮化镓制备方法，所述制备方法包括：首先，提供一蓝宝石衬底，在所述蓝宝石衬底上外延生长由第一缓冲层、牺牲层和第二缓冲层叠加而成的三明治结构，并在所述三明治结构表面形成应力支撑层；然后，利用激光在所述三明治结构中形成空位结构...
该专利属于镓特半导体科技（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过镓特半导体科技（上海）有限公司授权不得商用。

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