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本发明公开了一种无集成栅极尖锥阵列场发射阴极的制备方法，包括选用抛光导电基片，或包括抛光基片和形成于抛光基片表面的导电薄膜的复合基片作为阴极基底；在基片表面涂敷光刻胶；利用曝光、显影工艺，在基片上形成光刻胶的圆孔阵列图形；使基片自转，同时以...
该专利属于中国电子科技集团公司第十二研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第十二研究所授权不得商用。

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