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本发明涉及一种半导体压电纳米线疲劳极限测量装置及方法。其特征是：所述的半导体压电纳米线与石墨膏连接，所述的石墨膏粘在石墨盒内，所述的石墨盒与钨座连接，所述的钨座通过导线与交流电源连接，所述的交流电源通过导线与电阻连接，所述的电阻通过导线与金...
该专利属于哈尔滨理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过哈尔滨理工大学授权不得商用。

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