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本发明公开了一种通电促进巴氏芽孢杆菌诱导沉积碳酸钙的方法。本发明方法为通电培养巴氏芽孢杆菌的方法，通电电压为0.4‑1.6V。通过通电培养可以促进巴氏芽孢杆菌产生更多的脲酶，其培养液在含氯化钙和尿素的体系中诱导产生的碳酸钙的速率也会相应提高...
该专利属于武汉科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过武汉科技大学授权不得商用。

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