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本发明公开了一种小发散角激光器及其制备工艺,包括基板和和依次设置在基板上的有源区、第一包层和衍射光栅层,第一包层和衍射光栅层一端设置有端面刻蚀区,端面刻蚀区底部位于基本内,且端面刻蚀区内生长有发散角改善层;衍射光栅层和发散角改善层上依次覆盖...该专利属于陕西源杰半导体技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过陕西源杰半导体技术有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种小发散角激光器及其制备工艺,包括基板和和依次设置在基板上的有源区、第一包层和衍射光栅层,第一包层和衍射光栅层一端设置有端面刻蚀区,端面刻蚀区底部位于基本内,且端面刻蚀区内生长有发散角改善层;衍射光栅层和发散角改善层上依次覆盖...