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一种超结半导体器件，包括具有第一表面和平行的第二表面的半导体部分。至少在单元区域中形成第一导电类型的掺杂层。相反的第二导电类型的柱状第一超结区在垂直于第一表面的方向上延伸。第一导电类型的柱状第二超结区使第一超结区彼此分离。第一和第二超结区在...
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