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本发明提供一种半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括基底和设置在基底上方的超级结区域。超级结区域可以包括交替地设置的掺杂类型不同的多个柱。超级结区域的所述多个柱中的一个柱可具有沿半导体装置的垂直方向从底部至顶部逐渐减小然后逐渐增大的掺杂...
该专利属于美格纳半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过美格纳半导体有限公司授权不得商用。

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