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本发明涉及LED芯片工艺领域，公开了一种LED倒装芯片的制备方法，包括提供透光衬底并在其上生长外延层；在外延层上形成并图形化欧姆接触层以形成N电极沟槽预留槽、划裂沟槽预留槽以及Mesa平台预留台；在Mesa平台预留台之上形成反射层；刻蚀出N...
该专利属于淮安澳洋顺昌光电技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过淮安澳洋顺昌光电技术有限公司授权不得商用。

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