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本发明公开了反铁电类材料在非易失性存储器件中的应用。公开了在电容器或晶体管堆栈中包括箍缩磁滞环(PHL)材料的集成器件。PHL材料包括场诱导铁电(FFE)材料、反铁电(AFE)材料和弛豫型铁电(RFE)材料。每个集成器件包括具有设置在两个电...
该专利属于纳姆实验有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过纳姆实验有限责任公司授权不得商用。

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