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本发明提供了基于拓扑绝缘体纳米线的场效应管、其制备方法及应用，本发明提供的场效应管可以降低本底噪声，获得足够高的信噪比，在MHz频段的噪声都要比基于硅或者铝镓砷的场效应管低。...
该专利属于中国科学院物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院物理研究所授权不得商用。

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