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本发明提供一种基于离子注入掺杂HfO2的MFIS铁电栅制备工艺，先采用标准清洗工艺对P‑Si或者n‑Si基片进行清洗，以去除硅表面的颗粒及其它污染物，随后在硅片上沉积适当厚度的HfO2并进行退火处理；之后使用离子注入机对HfO2进行掺杂，然...
该专利属于湘潭大学所有，仅供学习研究参考，未经过湘潭大学授权不得商用。

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