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本实用新型公开了一种深紫外探测器。它包括透明的衬底，所述衬底上生长的成核层，成核层上生长的缓冲层，缓冲层上依次生长的有n型AlGaN层，周期性结构AlN/AlaGa1‑aN阻挡层，周期性结构AlN/AlbGa1‑bN吸收层，AlN限制层，周...
该专利属于中蕊（武汉）光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中蕊（武汉）光电科技有限公司授权不得商用。

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