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一种制备富勒烯/半导体异质结的方法，属于半导体材料制备技术领域。所述方法包括：以溅射或蒸发的方法在半导体表面制备一层非晶碳薄膜；将带有非晶碳薄膜的半导体放入电子显微镜的真空腔体内；用电子显微镜定位后，以定位位置为中心，在周围设置刻蚀保护区，...
该专利属于东南大学所有，仅供学习研究参考，未经过东南大学授权不得商用。

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