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本发明涉及高质量超薄六方NiPS3纳米片及其大面积制备方法，属于无机半导体纳米材料技术领域，主要采用了两步化学气相反应方法。首先通过水热合成的方法在不同的基底表面生长Ni(OH)2纳米片，然后将其加热至450‑470℃与同时加热升华的硫粉和...
该专利属于国家纳米科学中心所有，仅供学习研究参考，未经过国家纳米科学中心授权不得商用。

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