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低剖面加强层叠封装半导体器件制造技术
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文档序号:16113401
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本公开提供了半导体封装以及用于制造PoP半导体封装的方法。该PoP半导体封装可包括第一半导体封装和第二半导体封装,该第一半导体封装包括阳极化金属盖结构,该结构包括(i)具有中央空腔开口方向的中央空腔以及(ii)具有面向与该中央空腔开口方向相...
该专利属于高通股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过高通股份有限公司授权不得商用。
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