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一种用于功率半导体模块的功率半导体接触结构，该功率半导体接触结构具有至少一个衬底(1)以及作为电极的金属模制本体(2)，该衬底和金属模制本体通过基本上无中断的烧结层(3a)而一者烧结在另一者顶上，该烧结层具有多个具有变化的厚度的区域。该金属...
该专利属于丹佛斯硅动力有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过丹佛斯硅动力有限责任公司授权不得商用。

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