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提供在薄膜形成时可以对对象基板等目标物有效地进行精密加工，且可通过无等离子体蚀刻有效地去除沉积或附着于除该对象基板等目标物以外的硅系化合物的蚀刻气体组合物及蚀刻方法。一种蚀刻气体组合物，其特征在于，包含(1)XF(X为Cl、Br或I)所示的...
该专利属于关东电化工业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过关东电化工业株式会社授权不得商用。

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