温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

实施方式提供用于通过使用单晶硅生长装置制备单晶硅锭的方法，所述装置包括：腔室；设置在所述腔室内并容纳熔融硅液的坩埚；设置在坩埚外以加热坩埚的加热器；设置在所述腔室内的热屏蔽部件；以及用于牵拉由熔融硅液生长的单晶的牵拉部件，其中，所述方法可以...
该专利属于LG矽得荣株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过LG矽得荣株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。