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本发明公开了一种双栅电极金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法，包括衬底、依次层叠设置在衬底上的低栅电极、底栅绝缘层、金属氧化物半导体层、含离子注入元素的顶栅绝缘层，以及设置在顶栅绝缘层上的源极、漏极和顶栅电极，且源极和漏极分别与金属氧化物半导体...
该专利属于陕西师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过陕西师范大学授权不得商用。

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