温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
本发明提供的一种氮化镓肖特基二极管的制备方法，通过在氮化镓外延片的表面沉积钝化层；制备氮化镓肖特基二极管的阴极；在该钝化层的中心进行干法刻蚀，形成肖特基接触孔；在该肖特基接触孔内，该钝化层的表面和该阴极的表面沉积金属钛，形成欧姆金属层；对该...该专利属于北京大学;北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学;北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司授权不得商用。