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本发明公开了一种增强型HFET，涉及半导体开关器件技术领域。所述HFET，包括HFET器件本体，所述HFET器件本体的漏电极与源电极之间的沟道层上存在无二维电子气区，且栅电极以外的沟道层上存在无二维电子气区，无二维电子气区之外的漏电极与源电...
该专利属于中国电子科技集团公司第十三研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第十三研究所授权不得商用。

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