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本发明提供一种半导体器件的制备方法，在N阱上形成第一插塞，同时在P阱上形成第二插塞，之后，背面减薄半导体衬底，并在半导体衬底的背面形成P型引出区；再依次刻蚀半导体衬底、N型外延层以及P阱，在N阱周围形成第一沟槽，在第一插塞上形成第二沟槽，第...该专利属于中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。