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本发明提出了一种具有宽带隙材料与硅材料复合的U‑MOSFET，该U‑MOSFET器件主要特点是将宽带隙材料与硅材料相结合，通过异质外延技术或键合技术实现在宽带隙材料上生长硅材料，采用硅成熟工艺形成器件的沟道区。利用宽带隙材料的高临界击穿电场...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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