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本发明公开了一种改善顶层金属层的黏附强度的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、形成顶层金属层并进行图形化；步骤二、沉积钝化层；步骤三、沉积第二氧化硅层；步骤四、去除各顶层金属层图形块的顶部的第二氧化硅层，各顶层金属层图形块的侧面和块之间...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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