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本发明提供一种具有嵌入式纳米柱结构的氮化物层，用于外延生长、制备高外量子效率的氮化镓基发光二极管；本发明同时揭示了一种形成嵌入式纳米柱结构底层的制备方法。具体步骤包括：（1）提供具有不同生长速率晶面的图形衬底；（2）在所述衬底上进行预处理；...
该专利属于天津三安光电有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过天津三安光电有限公司授权不得商用。

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