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本发明涉及包括50原子％或更多钼、第二金属元素钛及第三金属元素铬或钽的溅射靶材，以及由所述溅射靶材制造的沉积膜。在本发明的优选方面，所述溅射靶材包括一富钼相、一富钛相及一富第三金属元素相。...
该专利属于H·C·施塔克公司所有，仅供学习研究参考，未经过H·C·施塔克公司授权不得商用。

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