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本发明涉及一种CuI纳米结构的制备方法，包括如下步骤：清洗单晶硅衬底的表面，将其装入电子束蒸发装置的真空生长室中；采用电子束蒸发法在单晶硅表面生长一层铜薄膜；将所得的硅基铜薄膜悬挂于反应釜内，水平置于溶液上方，反应釜内的前驱溶液为CuCl2...
该专利属于鲁东大学所有，仅供学习研究参考，未经过鲁东大学授权不得商用。

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