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描述了用于使用微结构来增强半导体中的光子吸收的技术。微结构诸如孔有效地增加了光子吸收。使用微结构对硅光电二极管和硅雪崩光电二极管进行吸收增强可以在波长为850nm的光子处在量子效率约为90％以上的情况下产生超过10Gb/s的带宽。微结构的厚...
该专利属于王士原;王士平所有，仅供学习研究参考，未经过王士原;王士平授权不得商用。

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